类型γ射线能谱指纹的识别机理

放射源的辐射指纹能起到标识和鉴别放射性物体的作用.在涉及核弹头不可逆销毁过程的深度核裁军核查中,核弹头的辐射指纹对标识和鉴别裁减下来的核弹头将起到关键作用.预先研究辐射指纹的有关技术,如识别机理的研究,将有助于深度核裁军的核弹头核查技术发展.以实验室放射源为研究对象,探索了类型γ射线能谱指纹的同一性识别机理.类型γ射线指纹识别机理的研究,就是要找出一种合适的方法,以较高的置信度,描述两个正在进行比较的γ射线指纹是否为同一放射源的指纹.采用了谱形比较法,并用谱相似度概念来描述两个指纹的相似程度.在谱形比较思想的指导下,编制了放射源类型指纹识别软件,并通过放射源同一性的识别实验验证了软件的有效性,同时研究了谱相似度随统计涨落和测量条件,如时间、源强和本底等因素的变化情况.研究结果表明:1)用相似度概念来描述两个指纹的相似程度,回答两个待比较的γ射线能谱是否代表同一类型放射源,是切实可行的;2)该识别机理只具备识别放射源类型的能力,而对同一类型、差异甚微的放射源个体还不能识别 关键词： γ射线能谱指纹 辐射指纹 识别机理 核查技术     

高能核碰撞中带电多重数快度与能量和中心度的关系

用强子–弦级联模型JPCIAE及相应的Monte Carlo事例产生器研究相对论性核–核碰撞中带电粒子多重数的赝快度密度对能量和中心度的依赖关系.无需另调任何模型参数的条件下,此模型可以同时较好地描述相对论性pp实验数据及PHOBOS和PHENIX实验组的Au+Au实验数据.本文指出:因〈N_part〉并非严格定义的物理量,致使实验上和理论上确定〈N_part〉有一定任意性,从而使得每参加者核子对的带电粒子赝快度密度随着〈N_part〉的增加可能逐渐增大,也可能逐渐减小,因此用它来区分粒子产生机制是欠妥的.     

带息力更新风险模型的一个极值分布

本文讨论了带息力的更新风险模型,得到了破产前最大盈余分布的递推公式,且在此基础上还给出了它满足的积分方程.     

流动注射-ICP光谱分析中的基体效应和酸效应研究

本文讨论了流动注射-ICP光谱分析中的基体效应和酸效应。当基体(Na、Ca、Fe、Zn)的浓度大于5mg/ml时,待测元素的谱线强度表现出不同程度的降低;上述基体的引入对激发温度和电子密度的影响不明显;基体产生的抑制效应可能与改变了待测元素粒子的激发几率的因素有关;于载流体中加入一定量的基体元素,是消除或降低基体效应的有效方法。酸(HCl、HNO_3、H_2SO_4)对待测元素表现出不同程度的抑制效应,其主要原因是物理干扰所致。     

w-DENSITY AND w-BALANCED PROPERTY OF WEIGHTED GRAPHS

§ 1　IntroductionAll graphsconsidered in this paperare finite undirected ones withoutloops ormultipleedges.Our terminology and notation are standard exceptas indicated.A good reference forany undefined terms is[1 ] .Let G be a graph with vertex set V( G) and edge set E( G) .The density of G is definedbyd( G) =ε( G)ν( G) ,whereν( G) andε( G) denote| V( G) | and| E( G) | ,respectively.G is said to be balanced iffor each subgraph H of G we have d( H )≤ d( G) ,where V( H ) is assum…     

关于NF-环的构造

研究了无限的ＮＦ－环及有限的ＮＦ－环，并且给出了有限ＮＦ－环的构造．     

石墨-六角氮化硼微晶混合物与水高压反应产物分析

 利用球磨法制备石墨-六角氮化硼微晶混合物，并在6.1 GPa、800~1 500 ℃条件下与水进行高压反应，以便研究用水作触媒合成B-C-N三元化合物的可能性。通过对反应产物的XRD、XPS谱分析发现：高压下随着温度的升高，反应产物中出现再结晶石墨，其晶化程度逐渐提高；但没有出现再结晶六角氮化硼，也未出现立方氮化硼。在球磨不充分条件下，石墨-六角氮化硼混合物的XRD谱没有完全弥散，它们与水高压反应时，能观察到石墨与立方氮化硼分别结晶的现象，但都没有形成B-C-N晶化结构。     

数学分析中的一题多解问题

通过两个积分 (一个是不定积分 ,一个是定积分 )及一个极限 ,说明如何灵活使用积分法解决积分问题 ,方法灵活、巧妙 ,适用范围广 .     

Characterization of oxide thin films using optical techniques

Thin films of oxide materials are playing a growing role as critical elements in optoelectronic devices and nanoscale devices. In this work, thin films of some typical oxides such as WO₃, Ga₂O₃ and SrTiO₃ were investigated. We present measurements of those films, using various optical techniques like photoconductivity transients over a wide time range and photo-Hall measurements. Analysis of the photo-Hall and photoconductivity data permits the determination of the contribution to the photoconductivity made by the carrier mobility and concentration. A model for dispersive carrier transport was proposed to explain the relaxation of the photoconductivity in oxide thin films. In addition, photoluminescence characterization was used to study microstructures and energy band in oxide thin films. The broad emission from oxide host, consisting of several band peaks, was likely due to a recombination process with several possible paths. The dependence of the luminescent intensity on the annealing atmosphere was associated with the presence of oxygen vacancies. It is suggested that our optical analysis efforts have improved the understanding of oxide thin films, and this should lead to the necessary advancements in a variety of devices.